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BSO612CVG

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相关型号： BSO612CV G BSO612CV BSO604NS2 BSO4822T BSO4822 BSO4804T

BSO612CV
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BSO612CV参数：MOSFET COMPL N+P 60V 2A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品变化通告： ProductDiscontinuation22/Feb/2008
标准包装：2,500
系列：SIPMOS®
包装：带卷(TR)
FET类型：N和P沟道
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3A，2A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：120毫欧@3A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@20µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：15.5nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：340pF@25V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：P-DSO-8

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